4英寸垂直梯度单晶生长炉及InP生长工艺-中国科学院合肥物质科学研究院-政府采购意向

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1、设备可用于磷化铟单晶的VGF法生长。 2、单晶炉包括：可旋转压力腔、压力腔支架、配气盘、4温区加热炉体及与之相匹配的电控柜构成的控温系统、由控制计算机及软件构成的监控系统。 3、压力腔材质为304不锈钢，可旋转，使用压力3Mpa，压力腔配备循环水套。 4、配气盘具备充气、排气，以及气体流速调节功能，长期使用不漏气。 5、控温系统：4温区加热炉体，炉体结构为立式单管状，采用耐高温纤维堵头及进口保温毯，加热炉体至少可生长10炉磷化铟单晶。配备OMEGA牌R/S型补偿导线和热偶插头12对. 6、监控系统：通过温控器、网线、控制计算机及软件，实现对炉体温度的控制，软件具备4温区温度控制及温度、功率变化实时和历史曲线显示功能。 7、温度控制采取下位机控制策略，控制计算机是否正常运行不影响温控器对炉温的控制。 8、测温温度采集点不少于7个，压力信号采集点1个，控温、测温、压力数值可通过控制计算机监控。 9、温控器：可实现4温区温度控制。温度控制精度±0.1℃，与温控器配套的电控柜内的可控硅、过流保护、超温保护、散热设计合理。 10、一台计算机可实现对4台单晶炉温度的监控，可对热电偶断偶、超温自动报警。能够导出固定时间段的数据，包含设定温度、实际温度、温差值、输出功率等行业内通用数据。 11、提供一套成熟的磷化铟单晶生长工艺，工艺达到国内先进水平，****点击查看工厂试生产一炉磷化铟单晶，单晶成晶率应达到50%以上，试生长所需多晶料由设备生产商提供，装料不少于4公斤。

1.4英寸垂直梯度单晶生长炉及磷化铟单晶生长工艺 技术指标： 1、设备可用于磷化铟单晶的VGF法生长。 2、单晶炉包括：可旋转压力腔、压力腔支架、配气盘、4温区加热炉体及与之相匹配的电控柜构成的控温系统、由控制计算机及软件构成的监控系统。 3、压力腔材质为304不锈钢，可旋转，使用压力3Mpa，压力腔配备循环水套。 4、配气盘具备充气、排气，以及气体流速调节功能，长期使用不漏气。 5、控温系统：4温区加热炉体，炉体结构为立式单管状，采用耐高温纤维堵头及进口保温毯。配备OMEGA牌R/S型补偿导线和热偶插头12对. 6、监控系统：通过温控器、网线、控制计算机及软件，实现对炉体温度的控制，软件具备4温区温度控制及温度、功率变化实时和历史曲线显示功能。 7、温度控制采取下位机控制策略，控制计算机是否正常运行不影响温控器对炉温的控制。 8、测温温度采集点不少于7个，压力信号采集点1个，控温、测温、压力数值可通过控制计算机监控。 9、温控器：可实现4温区温度控制。温度控制精度±0.1℃，与温控器配套的电控柜内的可控硅、过流保护、超温保护、散热设计合理。 10、一台计算机可实现对4台单晶炉温度的监控，可对热电偶断偶、超温自动报警。能够导出固定时间段的数据，包含设定温度、实际温度、温差值、输出功率等行业内通用数据。 11、提供一套成熟的磷化铟单晶生长工艺，工艺达到国内先进水平，****点击查看工厂试生产一炉磷化铟单晶，单晶成晶率应达到60%以上，试生长所需多晶料由设备生产商提供，装料不少于4公斤。